Подписаться ВК
 26.02.2024 в 21:46   OpenAI

Samsung представляет новый чип памяти большой емкости для искусственного интеллекта

Поделиться
с друзьями:

Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, сегодня объявила о разработке HBM3E 12H - первой 12-стековой DRAM HBM3E с самой высокой на сегодняшний день емкостью.

Новинка HBM3E 12H от Samsung предлагает невероятно высокую пропускную способность до 1280 гигабайт в секунду и рекордную емкость в 36 гигабайт. По сравнению с 8-стековым HBM3 8H оба характеристики улучшились более чем на 50%.

Исполнительный вице-президент по планированию продуктов памяти Samsung Electronics, Йонгчеол Бэ, отметил, что поставщикам услуг искусственного интеллекта все чаще требуются HBM с более высокой емкостью. HBM3E 12H был разработан именно для удовлетворения этой потребности, подчеркнул он. Компания стремится к созданию ключевых технологий для высокопроизводительных HBM и укреплению своего технологического лидерства на рынке высокопроизводительных HBM в условиях растущего влияния искусственного интеллекта.

Samsung продолжает инновации в области пленок NCF для упаковки HBM, представляя новую технологию TC NCF в HBM3E 12H. Усовершенствованная непроводящая пленка позволяет продуктам иметь ту же высоту, что и 8-слойные варианты, обеспечивая соответствие требованиям к упаковке HBM.

Основным достижением Samsung стало уменьшение толщины материала NCF до уровня наименьшего в отрасли зазора между чипами в семь микрометров. Это позволило увеличить вертикальную плотность производимых продуктов на более чем 20% по сравнению с предыдущими моделями.

Технология TC NCF также обеспечивает улучшенные тепловые свойства HBM, позволяя использовать различные размеры выступов между чипами и эффективно регулировать тепловой режим. Повышение вертикальной плотности и оптимизация тепловых характеристик делают HBM3E 12H от Samsung одним из наиболее передовых решений на рынке микроэлектроники.

Новый продукт Samsung - HBM3E 12H, представляющий собой оптимальное решение для систем будущего, нуждающихся в большем объеме памяти. Его высокая производительность и емкость помогут клиентам лучше управлять ресурсами и сократить общую стоимость владения (TCO) для центров обработки данных.

Samsung уже предлагает свою новинку покупателям, а массовое производство запланировано на первую половину текущего года. По оценкам экспертов, использование HBM3E 12H в приложениях искусственного интеллекта может повысить скорость обучения на 34% и увеличить количество одновременных пользователей на более чем 11,5 раза по сравнению с HBM3 8H.

Комментарии: